CVD 튜브 퍼니스는 정밀한 환경 제어, 균일한 가열 및 확장성을 제공하기 때문에 2D 재료 가공에 독보적으로 적합합니다.이러한 기능을 통해 최적의 성장 조건, 재현성 및 산업 규모 생산에 대한 적응성을 보장함으로써 그래핀 및 전이 금속 디칼코게나이드(TMD)와 같은 고품질 2D 소재를 합성할 수 있습니다.또한 첨단 제어 시스템과의 통합으로 공정 자동화 및 재료 일관성을 더욱 향상시킵니다.
핵심 포인트 설명:
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정밀한 온도 제어(300°C-1900°C)
- 다양한 2D 재료(예: ~1000°C의 그래핀, 더 낮은 범위의 TMD)를 위한 맞춤형 성장 조건을 지원합니다.
- 고급 PID 컨트롤러와 열전대는 재현 가능한 레이어별 증착에 중요한 ±1°C 안정성을 보장합니다.
- 예시:MoS₂ 합성은 황 분해를 방지하면서 균일한 핵 형성을 촉진하기 위해 ~700°C가 필요합니다.
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제어된 분위기 다목적성
- 누출 방지 석영 튜브를 사용하여 진공, 불활성(Ar/N₂) 또는 반응성(H₂/CH₄) 환경을 지원합니다.
- 반응성 가스 화학 기상 증착 반응기 는 표면 반응(예: 그래핀의 메탄 해리)을 촉진합니다.
- 산소가 없는 조건은 금속 할로겐화물과 같은 민감한 전구체의 산화를 방지합니다.
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균일한 가열 및 다중 구역 설계
- 멀티존 퍼니스(예: 3존)는 순차적인 전구체 활성화를 위해 구배 온도를 생성합니다.
- 등온 영역(±5°C)은 기판에 재료를 균일하게 증착하여 결함을 최소화합니다.
- 유연한 전자 제품에 사용되는 웨이퍼 스케일 2D 필름에 매우 중요합니다.
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고순도 처리
- 알루미나 또는 석영 반응 튜브는 용광로 벽의 오염을 최소화합니다.
- 가스 정화 시스템(예: 수분 트랩)은 10억분의 1 수준의 불순물 수준을 유지합니다.
- 그래핀에서 10,000cm²/V-s 이상의 캐리어 이동성을 달성하는 데 필수적입니다.
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확장성 및 산업 적응성
- 수평/수직 설계로 여러 기판의 일괄 처리가 가능합니다.
- 자동화된 가스/압력 제어를 통해 롤투롤 호환 워크플로우가 가능합니다.
- 예시:반도체 팹에서는 300mm 웨이퍼에 전이 금속 산화물 증착을 위해 CVD 용광로를 사용합니다.
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고급 공정 모니터링
- 실시간 질량 분석은 화학량론 제어를 위해 기체 상 반응을 추적합니다.
- 프로그래밍 가능한 레시피를 통해 반복적인 최적화가 가능합니다(예: MoS₂ 에지 종단을 위한 H₂ 흐름 변화).
- 머신 러닝 통합으로 새로운 재료의 성장 동역학을 예측합니다.
이러한 기능은 2D 재료 합성의 핵심 과제인 핵 형성 균일성, 화학량론적 정밀도 및 성장 후 안정성을 종합적으로 해결합니다.이러한 기능을 활용하여 연구자들은 양자 재료와 헤테로스택 제조 기술의 한계를 뛰어넘어 광전자공학 및 에너지 저장을 재정의할 수 있습니다.
요약 표:
기능 | 2D 머티리얼의 이점 | 애플리케이션 예시 |
---|---|---|
정밀한 온도 제어 | 재현 가능한 층별 증착을 위한 맞춤형 성장 조건(±1°C 안정성)을 지원합니다. | 분해 방지를 위해 ~700°C에서 MoS₂ 합성 |
제어된 분위기 | 최적화된 표면 반응을 위한 반응성/불활성 환경 지원 | 그래핀 성장을 위한 메탄 해리 |
다중 구역 가열 | 구배 온도(±5°C)로 균일한 증착을 보장합니다. | 플렉시블 전자제품용 웨이퍼 스케일 필름 |
고순도 공정 | 높은 캐리어 이동성을 위해 오염(예: 알루미나 튜브)을 최소화합니다. | 10,000cm²/V-s 이상의 이동성을 가진 그래핀 |
확장 가능한 설계 | 배치 처리 및 산업 워크플로우 수용 | 반도체 팹의 300mm 웨이퍼 처리 |
고급 모니터링 | 실시간 가스 분석 및 화학량 론적 제어를 위한 프로그래밍 가능한 레시피 | 머신 러닝 기반 성장 최적화 |
킨텍의 첨단 CVD 솔루션으로 2D 재료의 잠재력 활용하기
당사의
R&D 전문성 활용
및
자체 제조
킨텍은 정밀하게 설계된
CVD 튜브 퍼니스
그래핀, TMD 및 양자 재료에 맞게 설계되었습니다.당사 시스템은 다음을 제공합니다:
- 다중 구역 가열 (±1°C 제어) 결함 없는 증착을 위한 다중 구역 가열
- 누출이 없는 가스 환경 (진공에서 반응성 대기까지)
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확장 가능한 설계
R&D 또는 생산용
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