진공로는 고정밀의 오염 없는 열 공정을 가능하게 하여 전자 및 반도체 산업에서 중요한 역할을 합니다.산소가 없는 환경에서 작동할 수 있어 민감한 재료의 무결성을 보장하므로 집적 회로, MEMS 장치 및 전력 전자 장치와 같은 첨단 부품을 제조하는 데 필수적입니다.주요 응용 분야로는 확산 본딩, 박막 증착, 실리콘 웨이퍼의 정밀 어닐링 등 최적의 전기적 성능과 신뢰성을 달성하기 위해 초청정 조건이 요구되는 모든 공정이 있습니다.또한 이러한 용광로는 다음과 같은 특수 구성을 통해 와이드 밴드갭 반도체 및 3D 패키징과 같은 새로운 기술도 지원합니다. 진공 핫 프레스 기계 은 열과 압력을 결합하여 첨단 소재를 합성하는 기계입니다.
핵심 포인트 설명:
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반도체 제조의 오염 방지
- 진공로는 도핑, 어닐링 또는 소결 중에 실리콘 웨이퍼를 산화시킬 수 있는 산소와 수분을 제거합니다.
- 예시:실리콘 웨이퍼를 진공 상태에서 800~1200°C로 어닐링하면 결함을 제거하는 동시에 구리가 기판으로 확산되는 것을 방지할 수 있습니다.
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고급 박막 증착
- 초순수 유전체 층(예: 트랜지스터 절연용 SiO₂)을 생성하기 위해 PECVD 시스템과 함께 사용됩니다.
- 3D NAND 플래시 메모리 스택을 위한 나노 스케일 필름의 원자층 증착(ALD)을 가능하게 합니다.
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마이크로일렉트로닉스를 위한 확산 본딩
- 실리콘 카바이드(SiC)와 같은 재료를 접착제나 불순물 없이 고전력 장치에 접착합니다.
- MEMS 압력 센서와 RF 필터에서 밀폐형 씰을 만드는 데 필수적입니다.
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특수 구성
- 진공 핫 프레스 기계 일축 압력과 열을 결합하여 LED 패키징을 위한 고밀도 세라믹 기판을 생산합니다.
- 급속 열 처리(RTP) 퍼니스는 칩의 얕은 접합부 형성을 위해 밀리초 단위로 가열할 수 있습니다.
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새로운 반도체 애플리케이션
- 5G 및 전기 자동차 전력 모듈을 위한 질화 갈륨(GaN) 및 탄화 규소(SiC) 웨이퍼 처리.
- 고급 3D IC 통합을 위한 웨이퍼 레벨 패키징(WLP) 구현.
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공정 제어 기술
- 다중 구역 가열 및 PID 알고리즘은 300mm 웨이퍼 전체에서 ±1°C의 균일성을 유지합니다.
- 고온계를 통한 현장 모니터링은 나노미터 규모의 피처에 대한 정밀한 열 예산을 보장합니다.
이러한 기능 덕분에 진공로는 나노미터 크기의 불순물도 성능을 저하시킬 수 있는 현재의 반도체 노드와 차세대 양자 컴퓨팅 구성 요소 모두의 기반이 됩니다.인더스트리 4.0 시스템과의 통합을 통해 생산 중에 실시간으로 조정할 수 있습니다. 이러한 자동화를 통해 시설의 수율 손실을 줄일 수 있는 방법을 고려해 보셨나요?
요약 표:
애플리케이션 | 주요 이점 | 사용 사례 예시 |
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반도체 제조 | 어닐링, 도핑, 소결 중 산화 및 오염을 방지합니다. | 결함 없는 기판을 위해 800~1200°C에서 실리콘 웨이퍼를 어닐링합니다. |
박막 증착 | 트랜지스터 및 메모리 디바이스를 위한 초순수 유전체 층을 구현합니다. | 3D 낸드 플래시 메모리 스택용 나노 스케일 필름의 ALD. |
확산 본딩 | 접착제 없이 재료를 접착하여 MEMS 및 고전력 장치에 필수적입니다. | MEMS 압력 센서의 밀폐형 씰 제작. |
새로운 기술 | 5G 및 EV 전력 모듈을 위한 GaN/SiC 프로세싱을 지원합니다. | 3D IC 통합을 위한 웨이퍼 레벨 패키징(WLP). |
공정 제어 | 다중 구역 가열 및 PID 알고리즘으로 300mm 웨이퍼에 대해 ±1°C 균일성을 보장합니다. | 나노미터 규모의 피처 정밀도를 위한 현장 고온계 모니터링. |
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