MoSi2 및 SiC 발열체는 다양한 산업 분야에 적합한 다양한 모양으로 제공됩니다.MoSi2 요소는 막대, U자형, W자형 및 맞춤형 구성으로 제공되며, SiC 요소에는 직선 막대, 나선형 디자인, U자형 및 기타 복잡한 형태가 포함됩니다.두 소재 모두 특정 용광로 요구 사항을 충족하도록 맞춤화할 수 있으며, MoSi2는 고온 환경(최대 1800°C)에서 탁월하고 SiC는 최대 1600°C의 애플리케이션에 이상적입니다.작동 온도 요구 사항에 따라 선택이 달라지며, 1550°C 이하의 소결에는 SiC가, 고온에는 MoSi2가 선호됩니다.표준 치수가 존재하지만 고유한 용광로 설계에 맞게 특수 크기를 조정할 수 있습니다.
핵심 사항을 설명합니다:
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MoSi2 발열체 모양
- 막대:일반 난방 애플리케이션을 위한 표준 원통형 형태
- U자형:용광로 설계에서 균일한 가열 구역을 만드는 데 일반적입니다.
- W자형:좁은 공간에서 확장된 가열 표면적 제공
- 맞춤형 모양:특수 용광로 구성에 맞게 제조됨
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SiC 발열체 변형
- 스트레이트 로드:직접 저항 가열을 위한 기본 형태
- 나선형 요소:복사열 전달을 위한 표면적 증가
- U자형:튜브 용광로 및 기타 밀폐형 시스템에 적합
- 복잡한 형상:특정 열 프로파일에 맞게 설계
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온도 고려 사항
- MoSi2는 최대 1800°C까지 효과적으로 작동하므로 극한의 열 애플리케이션에 적합합니다.
- SiC는 최대 1600°C에서 최적의 성능을 발휘하여 중고온 공정에 더 적합합니다.
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선택 기준
- 1550°C 이하에서 일관된 성능을 원한다면 SiC를 선택하세요.
- 1540°C를 초과해야 하는 경우 MoSi2 선택
- 원소 취성 고려 - MoSi2는 신중한 취급과 점진적인 온도 변화가 필요합니다.
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치수 옵션
- 표준 크기는 직경 3~12mm의 가열 구역을 커버합니다.
- 가열 섹션의 경우 최대 1500mm까지 맞춤 길이 가능
- 냉각 구역 치수는 최대 2500mm까지 확장 가능
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실용적인 취급 참고 사항
- MoSi2의 깨지기 쉬운 특성으로 인해 느린 가열/냉각 속도(~10°C/min)가 요구됩니다.
- 두 재료 모두 용광로 레이아웃에 맞는 맞춤형 성형이 가능합니다.
- 요소 수명은 적절한 설치 및 열 순환 관행에 따라 달라집니다.
이러한 발열체는 반도체 제조에서 고급 세라믹 생산에 이르는 다양한 산업 분야에서 조용히 정밀한 온도 제어를 가능하게 하며, 정밀한 열 기능을 따르는 형태를 갖추고 있습니다.
요약 표:
| 특징 | MoSi2 요소 | SiC 요소 |
|---|---|---|
| 일반적인 모양 | 막대, U자형, W자형, 맞춤형 | 직선 막대, 나선형, U자형, 맞춤형 |
| 최대 온도 | 1800°C | 1600°C |
| 최상의 용도 | 극한의 고온 애플리케이션 | 중간 고온 공정(≤1550°C) |
| 취급 주의 사항 | 깨지기 쉬움; 느린 가열/냉각이 필요함 | MoSi2보다 더 뛰어난 내구성 |
| 커스터마이징 | 고유한 용광로 디자인으로 제공 | 특정 열 요구 사항에 맞춘 맞춤형 |
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