산업용 고온로는 열 조건과 화학적 분위기의 정밀한 동기화를 통해 용광로 환경을 시뮬레이션합니다. 구체적으로, 1273K와 같은 고온에서 작동하면서 제어된 환원 가스 혼합물(일반적으로 CO-CO2-N2 또는 CO-CO2-H2-H2O)을 도입하여 광석의 화학적 변화를 유도합니다.
이 시뮬레이션의 주요 목표는 일반적으로 약 30%의 일관되고 사전 설정된 환원율을 달성하는 것입니다. 이러한 정밀도는 환원 생성물의 열역학적 특성을 정확하게 연구하는 데 필요한 표준화된 시편을 생성하는 데 필수적입니다.
환원 환경 재현
정밀한 열 제어
용광로의 강렬한 환경을 모방하기 위해 산업용로는 안정적이고 높은 열을 유지해야 합니다.
이 시뮬레이션의 표준 작동 온도는 일반적으로 1273K입니다. 이 정확한 온도를 유지하는 것은 반응 속도가 산업적 기대치와 일치하도록 보장하는 데 중요합니다.
제어된 가스 분위기
"환원" 공정은 광석과 특정 가스 간의 상호 작용에 의해 구동되는 화학적 공정입니다.
이 로는 환원 분위기를 재현하기 위해 혼합 가스를 도입합니다. 일반적인 조성에는 CO-CO2-N2 또는 CO-CO2-H2-H2O가 포함됩니다.
이러한 비율을 제어함으로써 이 로는 철광석 펠릿에서 산소를 제거하는 데 필요한 화학적 전위를 시뮬레이션합니다.

시뮬레이션의 목적
특정 환원율 목표 설정
광석을 완전히 용융하는 것을 목표로 하는 생산 로와 달리, 이 시뮬레이션 장치는 특정 벤치마크에서 멈추도록 설계되었습니다.
이 장비는 펠릿이 사전 설정된 환원율, 가장 일반적으로 30%에 도달하도록 보장합니다. 이 부분 환원은 분석을 위한 중요한 제어 지점입니다.
분석을 위한 표준화
이 공정의 궁극적인 목표는 일관성입니다.
모든 펠릿이 정확히 동일한 환원 상태에 도달하도록 보장함으로써 이 로는 표준화된 시편을 생산합니다. 이러한 일관된 샘플은 환원 생성물의 열역학적 특성에 대한 후속 연구의 유효성을 뒷받침하는 기초입니다.
중요 제어 요인
가스 비율에 대한 민감도
시뮬레이션의 정확성은 가스 혼합물의 정확한 비율에 전적으로 달려 있습니다.
CO, CO2 및 기타 가스 간의 균형이 변동하면 이 환경은 더 이상 용광로를 효과적으로 시뮬레이션하지 못합니다. 이는 대표적이지 않은 환원 생성물을 초래할 것입니다.
시뮬레이션의 한계
이 특정 설정은 완전한 금속화보다는 벤치마크(30% 환원) 달성에 초점을 맞춘다는 점에 유의하는 것이 중요합니다.
완전히 환원된 철 또는 액상 거동에 대한 데이터를 찾는 사용자는 다른 테스트 프로토콜이 필요합니다. 이 방법은 중간 환원 단계 동안 펠릿의 특성을 특성화하는 데 특화되어 있습니다.
재료 연구 적용
이 시뮬레이션은 원료와 성능 데이터 사이의 다리 역할을 합니다.
- 재료 비교에 중점을 두는 경우: 다른 광석 유형에 대한 유효한 기준선을 만들기 위해 모든 배치에서 30% 환원율이 엄격하게 유지되도록 하십시오.
- 공정 최적화에 중점을 두는 경우: 생성된 표준화된 시편을 사용하여 운영과 관련된 특정 가스 혼합물(예: 수소 도입) 하에서 열역학적 특성이 어떻게 변하는지 테스트하십시오.
이 로의 가치는 가변적인 환원 조건을 제어 가능하고 반복 가능한 과학적 표준으로 전환하는 능력에 있습니다.
요약 표:
| 매개변수 | 사양/조건 | 목적 |
|---|---|---|
| 작동 온도 | 1273K (1000°C) | 산업적 환원 속도 모방 |
| 환원 가스 혼합물 | CO-CO2-N2 또는 CO-CO2-H2-H2O | 화학적 산소 제거 재현 |
| 목표 환원율 | 30% | 연구를 위한 표준화된 시편 생성 |
| 주요 출력 | 표준화된 환원 펠릿 | 열역학적 특성 분석 |
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