원자층 증착(ALD) 장비는 고효율 실리콘 태양전지에 필요한 초박형의 조밀한 산화알루미늄(Al2O3) 층을 생성하는 데 필수적입니다. 이러한 정밀한 박막을 증착함으로써 장비는 셀 후면의 에너지 손실을 줄이는 주요 메커니즘인 음전하 필드 패시베이션을 제공합니다.
ALD의 핵심 가치는 음전하 필드를 도입하는 고품질 Al2O3 박막을 성장시키는 능력에 있습니다. 이 필드는 후면 표면을 보호하여 재결합 속도를 크게 낮추고 PERC 및 TOPCon과 같은 고급 구조의 효율을 높입니다.
패시베이션의 물리학
Al2O3 층 생성
이 맥락에서 ALD 장비의 주요 기능은 산화알루미늄(Al2O3) 박막을 성장시키는 것입니다.
다른 증착 방법과 달리 ALD는 극도로 얇고 조밀한 박막을 생산할 수 있습니다. 이러한 구조적 무결성은 박막이 태양전지 스택 내에서 올바르게 기능하는 데 중요합니다.
음전하 필드 패시베이션
업그레이드된 야금 등급 실리콘에 Al2O3를 사용하는 구체적인 이점은 음전하 필드를 생성하는 것입니다.
이 필드 효과는 "필드 패시베이션"으로 알려진 것을 제공합니다. 이는 소수 캐리어를 후면 계면에서 효과적으로 밀어내어 재결합되어 열로 손실되는 것을 방지합니다.
표면 재결합 감소
이 음전하 필드를 통해 캐리어를 밀어냄으로써 ALD 성장 박막은 후면 표면 재결합 속도를 크게 줄입니다.
이러한 재결합을 최소화하는 것은 현대 실리콘 셀에서 높은 에너지 변환율을 달성하기 위한 전제 조건입니다.

첨단 구조에서의 응용
PERC 및 TOPCon 지원
ALD의 기능은 이론적인 것뿐만 아니라 특정 고효율 설계의 제조 요구 사항입니다.
특히 이 기술은 PERC(Passivated Emitter and Rear Cell) 및 TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact) 구조를 지원하는 핵심 요소입니다. 이러한 고급 설계는 고품질 ALD 박막만이 제공할 수 있는 우수한 후면 보호에 의존합니다.
중요 고려 사항 및 요구 사항
박막 밀도의 필요성
ALD는 강력하지만 그 효과는 생산하는 박막의 품질에 전적으로 달려 있습니다.
Al2O3 층은 음전하 필드를 유지하기 위해 충분히 조밀해야 합니다. 장비가 비다공성이고 균일한 층을 생산하지 못하면 패시베이션 효과가 손상되고 효율 향상이 손실됩니다.
전극 증착과의 차이점
태양전지 제조에서 ALD의 역할과 다른 증착 공정을 구별하는 것이 중요합니다.
ALD는 패시베이션 층을 처리하지만, 다른 시스템(예: 진공 증착)은 일반적으로 옴 접촉을 위한 금속 전극(예: 금)을 증착하는 데 필요합니다. ALD는 전도성 금속 접촉이 아닌 절연 및 패시베이션 산화물 층에만 특화되어 있습니다.
목표에 맞는 올바른 선택
업그레이드된 야금 등급 실리콘 셀의 성능을 극대화하려면 다음을 고려하십시오.
- 주요 초점이 에너지 손실 감소라면: 음전하 필드 패시베이션을 극대화하기 위해 고밀도 Al2O3 박막을 보장하는 ALD 공정을 우선시하십시오.
- 주요 초점이 구조적 업그레이드(PERC/TOPCon)라면: ALD 장비가 광학 성능을 방해하지 않고 복잡한 셀 구조 내에 맞도록 하는 데 필요한 극도로 얇은 박막을 생산하도록 보정되었는지 확인하십시오.
궁극적으로 조밀한 Al2O3 박막을 성장시키는 ALD 공정의 정밀도가 후면 재결합을 최소화하고 고효율 목표를 달성하는 결정적인 요소입니다.
요약 표:
| 특징 | ALD 공정 이점 | 태양전지 성능에 미치는 영향 |
|---|---|---|
| 박막 재료 | 초박형, 조밀한 산화알루미늄(Al2O3) | 우수한 구조적 무결성과 절연 제공 |
| 패시베이션 유형 | 음전하 필드 효과 | 에너지 손실 최소화를 위해 소수 캐리어 밀어냄 |
| 표면 영향 | 재결합 속도 감소 | 전반적인 에너지 변환 효율 크게 향상 |
| 셀 호환성 | PERC 및 TOPCon 구조 | 첨단 고효율 설계 제조에 필수적 |
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원자 수준의 정밀도는 표준 성능과 업계 최고 효율의 차이입니다. KINTEK에서는 PERC 및 TOPCon 구조에서 후면 표면 재결합을 최소화하는 데 고밀도 Al2O3 박막이 중요하다는 것을 알고 있습니다.
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시각적 가이드
참고문헌
- Production of upgraded metallurgical-grade silicon for a low-cost, high-efficiency, and reliable PV technology. DOI: 10.3389/fphot.2024.1331030
이 문서는 다음의 기술 정보도 기반으로 합니다 Kintek Furnace 지식 베이스 .
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